Laser à diode 915nm 50W pour le pompage Fabricants

Défis rencontrés par les lasers à fibre continue dopée au thulium de haute puissance. Au cours des deux dernières décennies, la puissance de sortie des lasers à fibre continue dopée au thulium a considérablement augmenté. La puissance de sortie d'un seul oscillateur entièrement fibre a dépassé 500 W ; la structure MOPA entièrement en fibres a atteint une puissance de sortie de kilowatts. Cependant, de nombreux problèmes subsistent qui limitent toute amélioration ultérieure de la puissance.

Les lasers femtosecondes sont des lasers capables d'émettre des impulsions optiques d'une durée inférieure à 1 ps (impulsions ultracourtes), c'est-à-dire dans le domaine temporel femtoseconde (1 fs = 10â15âs). Par conséquent, ces lasers sont également classés comme lasers ultrarapides ou lasers à impulsions ultracourtes. Pour générer de telles impulsions courtes, une technique appelée verrouillage de mode passif est souvent utilisée.

Le module à fibre optique peut être divisé en module récepteur à fibre optique, module de transmission à fibre optique, module émetteur-récepteur à fibre optique et module transpondeur à fibre optique.

Par rapport à la technologie d'amplification discrète par fibre optique, la technologie d'amplification Raman distribuée (DRA) a montré des avantages évidents dans de nombreux aspects tels que le facteur de bruit, les dommages non linéaires, le gain de bande passante, etc., et a acquis des avantages dans le domaine de la communication et de la détection par fibre optique. largement utilisé. Le DRA d'ordre élevé peut générer un gain profond dans la liaison pour obtenir une transmission optique quasiment sans perte (c'est-à-dire le meilleur équilibre entre le rapport signal/bruit optique et les dommages non linéaires) et améliorer considérablement l'équilibre global de la transmission par fibre optique/ détection. Par rapport au DRA haut de gamme conventionnel, le DRA basé sur un laser à fibre ultra longue simplifie la structure du système et présente l'avantage de la production de pinces de gain, montrant un fort potentiel d'application. Cependant, cette méthode d'amplification se heurte encore à des goulots d'étranglement qui limitent son application à la transmission/détection par fibre optique longue distance.

Les lasers à semi-conducteurs sont communément appelés diodes laser. Ils sont appelés lasers à semi-conducteurs en raison des caractéristiques de l'utilisation de matériaux semi-conducteurs comme matériaux de travail. Le laser à semi-conducteur est composé d'un module laser à semi-conducteur couplé par fibre, d'un dispositif de combinaison de faisceaux, d'un câble de transmission d'énergie laser, d'un système d'alimentation, d'un système de contrôle et d'une structure mécanique. La sortie laser est réalisée sous la conduite et la surveillance du système d'alimentation et du système de contrôle.

Le laser traditionnel utilise l'accumulation thermique de l'énergie laser pour faire fondre et même volatiliser le matériau dans la zone active. Au cours du processus, un grand nombre de puces, de micro-fissures et d'autres défauts de traitement seront générés, et plus le laser dure longtemps, plus les dommages au matériau sont importants. Le laser à impulsions ultra-courtes a un temps d'interaction ultra-court avec le matériau, et l'énergie à impulsion unique est suffisamment puissante pour ioniser n'importe quel matériau, réaliser un traitement à froid non thermofusible et obtenir l'ultra-fin, faible avantages de traitement des dommages incomparables avec le laser à impulsions longues. Dans le même temps, pour la sélection des matériaux, les lasers ultrarapides ont une applicabilité plus large, qui peut être appliquée aux métaux, aux revêtements TBC, aux matériaux composites, etc.