Puce de photodiode à avalanche InGaAs de grande surface 500um
  • Puce de photodiode à avalanche InGaAs de grande surface 500umPuce de photodiode à avalanche InGaAs de grande surface 500um

Puce de photodiode à avalanche InGaAs de grande surface 500um

La puce de photodiode à avalanche InGaAs de grande surface 500um est spécialement conçue pour avoir une faible capacité sombre et faible et un gain d'avalanche élevé. L'utilisation de cette puce permet d'obtenir un récepteur optique à haute sensibilité.

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Description du produit

1. Réseuhé de la puce de photodiode à avalanche InGaAs de grande surface 500euh

La puce de photodiode à avalanche InGaAs de grande surface 500euh est spécialement conçue pour avoir une faible capacité sombre et faible et un gain d'avalanche élevé. L'utilisation de cette puce permet d'obtenir un récepteur optique à haute sensibilité.

2. Introduction de la puce de photodiode à avalanche InGaAs de grande surface 500euh

La puce de photodiode à avalanche InGaAs de grande surface 500euh est spécialement conçue pour avoir une faible capacité sombre et faible et un gain d'avalanche élevé. L'utilisation de cette puce permet d'obtenir un récepteur optique à haute sensibilité.

3. Caractéristiques de la puce de photodiode à avalanche InGaAs de grande surface 500euh

Détecter la gamme 900nm-1650nm ;

Grande vitesse;

Haute réactivité;

Faible capacité ;

Faible courant d'obscurité ;

Top structure plane éclairée.

4. Application de la puce de photodiode à avalanche InGaAs de grande surface de 500 euh

Surveillance;

Instreuhents à fibre optique ;

Données de communication.

5. Évaluations maximales absolues de la puce de photodiode à avalanche InGaAs de grande surface de 500 euh

ParamètresymboleÉvaluerUnitééé
Courant direct maximal-10mA
Tension maximale Alimentation-VBRV
Température de fonctionnementTopr-40 à +85
Température de stockageTstg-55 à +125

6. Caractéristiques électro-optiques (T = 25℃) de la puce de photodiode à avalanche InGaAs de grande surface 500euh

ParamètresymboleÉtatMin.Tapez.Max.Unitééé
Gamme de longueurs d'ondeλ 900-1650nm
Tension de claquageVBRIdentifiant = 10uA40-52V
Coefficient de température de VBR---0.12-V/℃
RéactivitéRVR =VBR-3V1013-A/W
Courant sombreidentifiantVBR-3V-0.410.0n / a
CapacitanceCVR =38V, f=1MHz-8-pF
Bande passantePc--2.0-GHz

7. Paramètre de dimension de la puce de photodiode à avalanche InGaAs de grande surface 500euh

ParamètresymboleÉvaluerUnitééé
Diamètre de la zone activeD53euh
Diamètre du tampon de liaison-65euh
Taille de matrice-250x250euh
Épaisseur de matricet150±20euh

8. Livraison, expédition et service d'une puce de photodiode à avalanche InGaAs de grande surface de 500 euh

Tous les produits ont été testés avant l'expédition ;

Tous les produits ont une garantie de 1 à 3 ans. (Après que la période de garantie de qualité a commencé à facturer des frais de service de maintenance appropriés.)

Nous apprécions votre entreprise et offrons une politique de retour instantané de 7 jours. (7 jours après réception des articles);

Si les articles que vous achetez dans notre magasin ne sont pas de qualité parfaite, c'est-à-dire qu'ils ne fonctionnent pas électroniquement selon les spécifications du fabricant, renvoyez-les-nous simplement pour remplacement ou remboursement ;

Si les articles sont défectueux, veuillez nous en informer dans les 3 jours suivant la livraison;

Tous les articles doivent être retournés dans leur état d'origine pour bénéficier d'un remboursement ou d'un remplacement ;

L'acheteur est responsable de tous les frais d'expédition encourus.

8. FAQ

Q : Quelle est la zone active que vous souhaitez ?

A: nous avons une puce de photodiode à avalanche InGaAs à zone active de 50euh 200euh 500euh.

Q : Quelle est la configuration requise pour le connecteur ?

A: Box Optronics peut personnaliser selon vos besoins.

Balises actives: Puce de photodiode à avalanche InGaAs de grande surface 500um, Fabricants, Fournisseurs, Vente en gros, Usine, Personnalisé, En vrac, Chine, Fabriqué en Chine, Pas cher, Prix bas, Qualité

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