Photodiodes InGaAs à zone active de 0,3 mm
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Photodiodes InGaAs à zone active de 0,3 mm

Photodiodes InGaAs à surface active de 0,3 mm pour la détection de la lumière dans le proche infrarouge. Les caractéristiques comprennent une vitesse élevée, une sensibilité élevée, un faible bruit et des réponses spectrales allant de 1100 nm à 1650 nm Convient à une large gamme d'applications, y compris la communication optique, l'analyse et la mesure.

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Description du produit

1. Résumé des photodiodes InGaAs à zone active de 0,3 mm

Les photodiodes InGaAs à surface active de 0,3 mm pour la détection de la lumière dans le proche infrarouge. Les caractéristiques comprennent une vitesse élevée, une sensibilité élevée, un faible bruit et des réponses spectrales allant de 1100 nm à 1650 nm Convient à une large gamme d'applications, y compris la communication optique, l'analyse et la mesure.

2. Introduction de photodiodes InGaAs à zone active de 0,3 mm

Les photodiodes InGaAs à surface active de 0,3 mm pour la détection de la lumière dans le proche infrarouge. Les caractéristiques comprennent une vitesse élevée, une sensibilité élevée, un faible bruit et des réponses spectrales allant de 1100 nm à 1650 nm Convient à une large gamme d'applications, y compris la communication optique, l'analyse et la mesure.

3. Caractéristiques des photodiodes InGaAs à zone active de 0,3 mm

Détecter la gamme 1100nm-1650nm ;

Paquet coaxial ;

Faible courant d'obscurité, faible capacité ;

Haute fiabilité, longue durée de vie.

4. Application de photodiodes InGaAs à zone active de 0,3 mm

Récepteur optique analogique ;

Équipement de test.

5. Caractéristiques électro-optiques (T = 25℃) des photodiodes InGaAs à zone active de 0,3 mm

Paramètre symbole État Min. Tapez. Max. Unité
Gamme de longueurs d'onde λ   1100 - 1650 nm
Zone active φ - - 0.3 - millimètre
Réactivité R Vr=-5V, λ =1310nm 0.85 0.90 - A/W
Vr=-5V, λ =1550nm 0.90 0.95 -
Courant sombre identifiant Vr=-5V - - 1 n / a
Tension de fonctionnement V - - -5 - V
Temps de montée TR VR=5V, RL=50Ω - - 1.5 ns
Capacitance DPC VR=5V, φe=0, f=1MHz - - 20 pF

6. Dessin de l'emballage et définition du PIN-OUT (unité : mm) des photodiodes InGaAs à zone active de 0,3 mm

7. Livraison, expédition et service de photodiodes InGaAs à zone active de 0,3 mm

Tous les produits ont été testés avant l'expédition ;

Tous les produits ont une garantie de 1 à 3 ans. (Après que la période de garantie de qualité a commencé à facturer des frais de service de maintenance appropriés.)

Nous apprécions votre entreprise et offrons une politique de retour instantané de 7 jours. (7 jours après réception des articles);

Si les articles que vous achetez dans notre magasin ne sont pas de qualité parfaite, c'est-à-dire qu'ils ne fonctionnent pas électroniquement selon les spécifications du fabricant, renvoyez-les-nous simplement pour remplacement ou remboursement ;

Si les articles sont défectueux, veuillez nous en informer dans les 3 jours suivant la livraison;

Tous les articles doivent être retournés dans leur état d'origine pour bénéficier d'un remboursement ou d'un remplacement ;

L'acheteur est responsable de tous les frais d'expédition encourus.

8. FAQ

Q : Quelle est la zone active que vous souhaitez ?

A: nous avons une photodiode PIN InGaAs à zone active de 0,3 mm 0,5 mm 1 mm 2 mm.

Q : Quelle est la configuration requise pour le connecteur ?

A: Box Optronics peut personnaliser selon vos besoins.

Balises actives: Photodiodes InGaAs à zone active de 0,3 mm, Fabricants, Fournisseurs, Vente en gros, Usine, Personnalisé, En vrac, Chine, Fabriqué en Chine, Pas cher, Prix bas, Qualité

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