Photodiodes InGaAs à surface active de 0,3 mm pour la détection de la lumière dans le proche infrarouge. Les caractéristiques comprennent une vitesse élevée, une sensibilité élevée, un faible bruit et des réponses spectrales allant de 1100 nm à 1650 nm Convient à une large gamme d'applications, y compris la communication optique, l'analyse et la mesure.
Les photodiodes InGaAs à surface active de 0,3 mm pour la détection de la lumière dans le proche infrarouge. Les caractéristiques comprennent une vitesse élevée, une sensibilité élevée, un faible bruit et des réponses spectrales allant de 1100 nm à 1650 nm Convient à une large gamme d'applications, y compris la communication optique, l'analyse et la mesure.
Les photodiodes InGaAs à surface active de 0,3 mm pour la détection de la lumière dans le proche infrarouge. Les caractéristiques comprennent une vitesse élevée, une sensibilité élevée, un faible bruit et des réponses spectrales allant de 1100 nm à 1650 nm Convient à une large gamme d'applications, y compris la communication optique, l'analyse et la mesure.
Détecter la gamme 1100nm-1650nm ;
Paquet coaxial ;
Faible courant d'obscurité, faible capacité ;
Haute fiabilité, longue durée de vie.
Récepteur optique analogique ;
Équipement de test.
Paramètre | symbole | État | Min. | Tapez. | Max. | Unité |
Gamme de longueurs d'onde | λ | 1100 | - | 1650 | nm | |
Zone active | φ | - | - | 0.3 | - | millimètre |
Réactivité | R | Vr=-5V, λ =1310nm | 0.85 | 0.90 | - | A/W |
Vr=-5V, λ =1550nm | 0.90 | 0.95 | - | |||
Courant sombre | identifiant | Vr=-5V | - | - | 1 | n / a |
Tension de fonctionnement | V | - | - | -5 | - | V |
Temps de montée | TR | VR=5V, RL=50Ω | - | - | 1.5 | ns |
Capacitance | DPC | VR=5V, φe=0, f=1MHz | - | - | 20 | pF |
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A: nous avons une photodiode PIN InGaAs à zone active de 0,3 mm 0,5 mm 1 mm 2 mm.
Q : Quelle est la configuration requise pour le connecteur ?A: Box Optronics peut personnaliser selon vos besoins.
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