La photodiode PIN InGaAs à zone active de 1 mm pour la détection de la lumière dans le proche infrarouge. Les caractéristiques comprennent une vitesse élevée, une sensibilité élevée, un faible bruit et des réponses spectrales allant de 1100 nm à 1650 nm Convient à une large gamme d'applications, y compris la communication optique, l'analyse et la mesure.
La photodiode PIN InGaAs à zone active de 1 mm pour la détection de la lumière dans le proche infrarouge. Les caractéristiques comprennent une vitesse élevée, une sensibilité élevée, un faible bruit et des réponses spectrales allant de 1100 nm à 1650 nm Convient à une large gamme d'applications, y compris la communication optique, l'analyse et la mesure.
La photodiode PIN InGaAs à zone active de 1 mm pour la détection de la lumière dans le proche infrarouge. Les caractéristiques comprennent une vitesse élevée, une sensibilité élevée, un faible bruit et des réponses spectrales allant de 1100 nm à 1650 nm Convient à une large gamme d'applications, y compris la communication optique, l'analyse et la mesure.
Détecter la gamme 1100nm-1650nm ;
Paquet coaxial ;
Faible courant d'obscurité, faible capacité ;
Haute fiabilité, longue durée de vie.
Récepteur optique analogique ;
Équipement de test.
Paramètre | symbole | État | Min. | Tapez. | Max. | Unité |
Gamme de longueurs d'onde | λ | 1100 | - | 1650 | nm | |
Zone active | φ | - | - | 1 | - | millimètre |
Réactivité | R | Vr=-5V, λ =1310nm | 0.85 | 0.90 | - | A/W |
Vr=-5V, λ =1550nm | 0.90 | 0.95 | - | |||
Courant sombre | identifiant | Vr=-5V | - | 1 | - | n / a |
Tension de fonctionnement | V | - | - | -5 | - | V |
Temps de montée | TR | VR=5V, RL=50Ω | - | - | 1.5 | ns |
Capacitance | DPC | VR=5V, φe=0, f=1MHz | - | - | 20 | pF |
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A: nous avons une zone active de 0,3 mm 0,5 mm 1 mm 2 mm.
Q : Quelle est la configuration requise pour le connecteur ?A: Box Optronics peut personnaliser selon vos besoins.
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