Photodiode PIN InGaAs à zone active de 1 mm
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Photodiode PIN InGaAs à zone active de 1 mm

La photodiode PIN InGaAs à zone active de 1 mm pour la détection de la lumière dans le proche infrarouge. Les caractéristiques comprennent une vitesse élevée, une sensibilité élevée, un faible bruit et des réponses spectrales allant de 1100 nm à 1650 nm Convient à une large gamme d'applications, y compris la communication optique, l'analyse et la mesure.

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Description du produit

1. Résumé de la photodiode PIN InGaAs à zone active de 1 mm

La photodiode PIN InGaAs à zone active de 1 mm pour la détection de la lumière dans le proche infrarouge. Les caractéristiques comprennent une vitesse élevée, une sensibilité élevée, un faible bruit et des réponses spectrales allant de 1100 nm à 1650 nm Convient à une large gamme d'applications, y compris la communication optique, l'analyse et la mesure.

2. Introduction de la photodiode PIN InGaAs à zone active de 1 mm

La photodiode PIN InGaAs à zone active de 1 mm pour la détection de la lumière dans le proche infrarouge. Les caractéristiques comprennent une vitesse élevée, une sensibilité élevée, un faible bruit et des réponses spectrales allant de 1100 nm à 1650 nm Convient à une large gamme d'applications, y compris la communication optique, l'analyse et la mesure.

3. Caractéristiques de la photodiode PIN InGaAs à zone active de 1 mm

Détecter la gamme 1100nm-1650nm ;

Paquet coaxial ;

Faible courant d'obscurité, faible capacité ;

Haute fiabilité, longue durée de vie.

4. Application de la photodiode PIN InGaAs à zone active de 1 mm

Récepteur optique analogique ;

Équipement de test.

5. Caractéristiques électro-optiques (T = 25℃) de la photodiode PIN InGaAs à zone active de 1 mm

Paramètre symbole État Min. Tapez. Max. Unité
Gamme de longueurs d'onde λ   1100 - 1650 nm
Zone active φ - - 1 - millimètre
Réactivité R Vr=-5V, λ =1310nm 0.85 0.90 - A/W
Vr=-5V, λ =1550nm 0.90 0.95 -
Courant sombre identifiant Vr=-5V - 1 - n / a
Tension de fonctionnement V - - -5 - V
Temps de montée TR VR=5V, RL=50Ω - - 1.5 ns
Capacitance DPC VR=5V, φe=0, f=1MHz - - 20 pF

6. Dessin de l'emballage et définition PIN-OUT (unité: mm) de la photodiode PIN InGaAs à zone active de 1 mm

7. Livrer, expédier et servir une photodiode PIN InGaAs à zone active de 1 mm

Tous les produits ont été testés avant l'expédition ;

Tous les produits ont une garantie de 1 à 3 ans. (Après que la période de garantie de qualité a commencé à facturer des frais de service de maintenance appropriés.)

Nous apprécions votre entreprise et offrons une politique de retour instantané de 7 jours. (7 jours après réception des articles);

Si les articles que vous achetez dans notre magasin ne sont pas de qualité parfaite, c'est-à-dire qu'ils ne fonctionnent pas électroniquement selon les spécifications du fabricant, renvoyez-les-nous simplement pour remplacement ou remboursement ;

Si les articles sont défectueux, veuillez nous en informer dans les 3 jours suivant la livraison;

Tous les articles doivent être retournés dans leur état d'origine pour bénéficier d'un remboursement ou d'un remplacement ;

L'acheteur est responsable de tous les frais d'expédition encourus.

8. FAQ

Q : Quelle est la zone active que vous souhaitez ?

A: nous avons une zone active de 0,3 mm 0,5 mm 1 mm 2 mm.

Q : Quelle est la configuration requise pour le connecteur ?

A: Box Optronics peut personnaliser selon vos besoins.

Balises actives: Photodiode PIN InGaAs à zone active de 1 mm, Fabricants, Fournisseurs, Vente en gros, Usine, Personnalisé, En vrac, Chine, Fabriqué en Chine, Pas cher, Prix bas, Qualité

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