Les photodiodes à avalanche InGaAs 50um APD sont les plus grandes APD InGaAs disponibles dans le commerce avec une haute réactivité et un temps de montée et de descente extrêmement rapide sur toute la gamme de longueurs d'onde de 900 à 1700 nm, la réactivité maximale à 1550 nm est idéale pour les applications de télémétrie sécurisées, les communications optiques en espace libre, OTDR et tomographie par cohérence optique. La puce est scellée hermétiquement dans un boîtier TO modifié, une option pigtailed est également disponible.
Les photodiodes à avalanche InGaAs 50um APD sont les plus grandes APD InGaAs disponibles dans le commerce avec une haute réactivité et un temps de montée et de descente extrêmement rapide sur toute la gamme de longueurs d'onde de 900 à 1700 nm, la réactivité maximale à 1550 nm est idéale pour les applications de télémétrie sécurisées, les communications optiques en espace libre, OTDR et tomographie par cohérence optique.
La puce est scellée hermétiquement dans un boîtier TO modifié, une option pigtailed est également disponible.
Les photodiodes à avalanche InGaAs 50um APD sont les plus grandes APD InGaAs disponibles dans le commerce avec une haute réactivité et un temps de montée et de descente extrêmement rapide sur toute la gamme de longueurs d'onde de 900 à 1700 nm, la réactivité maximale à 1550 nm est idéale pour les applications de télémétrie sécurisées, les communications optiques en espace libre, OTDR et tomographie par cohérence optique.
La puce est scellée hermétiquement dans un boîtier TO modifié, une option pigtailed est également disponible.
Détecter la gamme 900nm-1700nm ;
Large plage dynamique ;
Haute responsabilité;
Faible courant d'obscurité ;
Boîtier standard TO-46.
Capteur optique;
communications optiques en espace libre.
| Paramètre | symbole | État | Min. | Max. | Unité |
| Tension inverse PD | VR | CW | - | 60 | V |
| Courant direct | SI | CW | - | 3 | mA |
| Température de fonctionnement | HAUT | Température du boîtier | -40 | +85 | ℃ |
| Température de stockage | TSTG | Température ambiante | -40 | +85 | ℃ |
| Température de soudure au plomb/temps | Ts | - | - | 260/10 | ℃/S |
| Paramètre | symbole | État | Min. | Tapez. | Max. | Unité |
| Gamme de longueurs d'onde | λ | 900 | - | 1700 | nm | |
| Zone active | φ | - | - | 50 | - | euh |
| Responsabilité | Ré | M=1,λ=1310nm | 0.85 | - | - | A/W |
| Facteur de multiplication | M | VR=VBR-3, λ=1310nm,φe=1uW | 10 | - | - | - |
| Courant sombre | identifiant | VR=VBR-3, φe=0 | - | - | 10 | n / a |
| Tension de claquage inverse | VBR | ID=10μA, φe=0 | 40 | 43 | 45 | V |
| -3dBm de bande passante | PC | M=10, RL= 50Ω | 2.0 | - | - | GHz |
| Capacitance | C | M=10, φe=0 | - | - | 0.5 | pF |
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A: nous avons des photodiodes à avalanche à zone active de 0,3 mm 0,5 mm 1 mm.
Q : Quelle est la configuration requise pour le connecteur ?A: Box Optronics peut personnaliser selon vos besoins.
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