La puce de photodiode à avalanche InGaAs 200um est spécialement conçue pour avoir une faible obscurité, une faible capacité et un gain d'avalanche élevé. L'utilisation de cette puce permet d'obtenir un récepteur optique à haute sensibilité.
La puce de photodiode à avalanche InGaAs 200um est spécialement conçue pour avoir une faible obscurité, une faible capacité et un gain d'avalanche élevé. L'utilisation de cette puce permet d'obtenir un récepteur optique à haute sensibilité.
La puce de photodiode à avalanche InGaAs 200um est spécialement conçue pour avoir une faible obscurité, une faible capacité et un gain d'avalanche élevé. L'utilisation de cette puce permet d'obtenir un récepteur optique à haute sensibilité.
Détecter la gamme 900nm-1650nm ;
Grande vitesse;
Haute réactivité;
Faible capacité ;
Faible courant d'obscurité ;
Top structure plane éclairée.
Surveillance;
Instruments à fibre optique ;
Données de communication.
Paramètre | symbole | Évaluer | Unité |
Courant direct maximal | - | 10 | mA |
Tension maximale Alimentation | - | VBR | V |
Température de fonctionnement | Topr | -40 à +85 | ℃ |
Température de stockage | Tstg | -55 à +125 | ℃ |
Paramètre | symbole | État | Min. | Tapez. | Max. | Unité |
Gamme de longueurs d'onde | λ | 900 | - | 1650 | nm | |
Tension de claquage | VBR | Identifiant = 10uA | 40 | - | 60 | V |
Coefficient de température du VBR | - | - | - | 0.12 | - | V/℃ |
Réactivité | R | VR =VBR-4V | 9 | 10 | - | A/W |
Courant sombre | identifiant | VBR-4V | - | 6.0 | 30 | n / a |
Capacitance | C | VR =38V, f=1MHz | - | 1.6 | - | pF |
Bande passante | Pc | - | - | 2.0 | - | GHz |
Paramètre | symbole | Évaluer | Unité |
Diamètre de la zone active | D | 200 | euh |
Diamètre du tampon de liaison | - | 60 | euh |
Taille de matrice | - | 350x350 | euh |
Épaisseur de matrice | t | 180±20 | euh |
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A: nous avons une puce de photodiode à avalanche InGaAs à zone active de 50um 200um 500um.
Q : Quelle est la configuration requise pour le connecteur ?A: Box Optronics peut personnaliser selon vos besoins.
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