Connaissances professionnelles

La technologie clé de la diode laser haute puissance

2021-07-02
Optimisation de la conception structurelle : les trois principes de base des lasers à semi-conducteurs sont : l'injection et le confinement électriques, la conversion électro-optique, le confinement et la sortie optiques, qui correspondent respectivement à la conception de l'injection électrique, à la conception du puits quantique et à la conception du champ optique de la structure du guide d'ondes. L'optimisation de la structure des puits quantiques, des fils quantiques, des points quantiques et des cristaux photoniques a favorisé l'amélioration continue de la technologie laser, rendant la puissance de sortie et l'efficacité de conversion électro-optique des lasers de plus en plus élevées, la qualité du faisceau s'améliorant de plus en plus. fiabilité .
Technologie de croissance de matériaux épitaxiaux de haute qualité : la technologie de croissance de matériaux épitaxiaux par laser à semi-conducteur est au cœur du développement des lasers à semi-conducteurs. Il optimise principalement la courbe de dopage pour réduire le chevauchement entre le champ optique et la région fortement dopée, réduisant ainsi la perte d'absorption des porteurs libres et améliorant l'efficacité de conversion du dispositif.
Technologie de traitement de surface de la cavité : grâce à diverses technologies de passivation et de revêtement de la surface de la cavité, réduisez ou éliminez les défauts et l'oxydation de la surface de la cavité, réduisez l'absorption de la lumière de la surface de la cavité, augmentez la valeur COMD de la surface de la cavité et obtenez une puissance de crête élevée.
Technologie d'emballage intégrée : la recherche sur la technologie clé de l'emballage laser à semi-conducteur haute puissance consiste à partir des aspects de la chaleur, des matériaux d'emballage et du stress, pour résoudre la conception de l'emballage de la gestion thermique et du stress thermique, et pour réaliser une percée technologique dans le développement de lasers semi-conducteurs directs à haute puissance, haute luminosité et haute fiabilité.
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